3D Xpoint:Micron与Intel推出新一代闪存技术 速度和读写次数提升千倍

更新时间:2015-07-30 09:41:21点击次数:1206次

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两家公司宣称,3D Xpoint(读法是crosspoint)是内存技术自1989年NAND闪存以来几十年最大的突破,产品结合了NAND闪存和DRAM之长,与传统闪存技术相比,容量更大、速度更快、成本和能耗更低、寿命更长,而且已经可以投入生产,明年相关的方案产品就能上市。

比较直观的成果是,采用新技术的拇指大小的盘能装下3.5TB数据。

SeekingAlpha 6月份这篇文章很有料,其中透露这一技术花费数十亿美元,有很多大公司参与其中。Hacker News上也有同学说Micron应该早在2011年就开始投入了。

技术方面的创新主要包括:

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  • 交叉阵列结构:存储单元(每单元存储1比特数据)密度高达1200亿,性能更高

  • 可堆叠:目前每晶粒可以存储128Gb,未来可以通过增加层数来提高容量

  • 选择器:存储单元可以通过向选择器发送不同电压来读取,因此不再需要晶体管

  • 单元的快速切换:单元尺寸更小、选择器更快、阵列延迟低加上快速的写入算法,单元的状态切换也比传统技术更快

另外,导线和存储单元所用的材料是全新的。

Intel的宣传资料暴露了野心:自冯诺依曼架构诞生以来,第一次有一种快速、不贵而且非易失的存储技术,可以同时满足内存和存储的需要。这一点如果成真,将对现有系统尤其是数据库产生很大影响,我们很可能真正迎来内存计算时代。

另一方面,Intel也承认,新技术的制造非常复杂,目前刚从Micron的实验生产线转到Intel工厂。不过他们已经习惯类似的挑战。

国外媒体的报道:http://www.techmeme.com/150728/p31#a150728p31 


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